近日，上海松江综保区传来一则行业突破性消息：尼西半导体科技（上海）有限公司成功建成全球首条35微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试生产线。这一成果标志着我国在高端半导体制造领域迈出关键一步，为新能源汽车、5G基站等高功率密度应用场景提供了核心技术支持。
晶圆厚度是影响功率芯片性能的关键参数。传统工艺生产的晶圆厚度通常在100微米左右，而尼西半导体通过技术攻关将厚度压缩至35微米。这一突破使芯片导通电阻降低40%，热阻下降60%，相当于为芯片安装了高效散热装置。在封装环节，双面散热设计使模块热阻进一步降低30%，功率循环寿命提升至原有水平的5倍，显著提升了器件的可靠性和能效比。
超薄晶圆加工面临多重技术挑战。当晶圆厚度降至50微米以下时，其物理特性变得极为脆弱，类似薯片般易碎。为解决这一问题，研发团队与设备供应商联合攻关，将加工精度控制在35±1.5微米范围内，碎片率控制在0.1%以内。通过化学腐蚀工艺消除92%的研磨应力损伤，并采用定制化激光切割技术替代传统刀片，使切割良率达到98.5%。这些创新工艺确保了超薄晶圆量产的可行性。
该生产线实现了全流程专用设备覆盖，从键合、研磨、切割到测试环节均配备定制化装备。其中测试环节单日产能可达12万颗成品，满足大规模商业化生产需求。特别值得关注的是，产线中的关键设备由企业工程师与国内设备厂商联合研发，通过产学研协同创新实现了核心装备的自主可控，填补了国内在该领域的技术空白。
公开资料显示，尼西半导体科技（上海）有限公司成立于2007年，是美商万国半导体（AOS）在华重要生产基地，由万国半导体（香港）股份有限公司全资控股。此次技术突破不仅提升了企业竞争力，更为我国半导体产业突破国外技术封锁、实现自主可控发展提供了重要范例。随着新能源汽车、5G通信等产业的快速发展，超薄晶圆技术有望在更多高端应用场景发挥关键作用。
