近日，长电科技在射频集成无源器件（IPD）领域取得重要突破，成功完成基于玻璃通孔（TGV）结构与光敏聚酰亚胺（PSPI）再布线（RDL）工艺的晶圆级验证。通过试制测试结构并进行实测评估，该公司证实了玻璃基底上三维集成无源器件的可制造性，并展现出显著的性能优势。这一成果为5G及未来6G通信所需的更宽带宽射频前端与系统级封装优化开辟了新的工程化路径。
在技术实现层面，长电科技以TGV技术构建三维互连骨架，在玻璃基板上集成电感、电容等关键无源元件，并将传统平面电感升级为三维结构。这种设计有效降低了高频损耗，同时显著提升了器件品质因数（Q值）。实测数据显示，在相同电感值条件下，三维电感的Q值较平面结构提升近50%，且整体性能优于硅基IPD技术路线。这一突破为射频模组的小型化、高集成度设计提供了切实可行的工程方向。
面对5G向6G演进过程中对射频系统带宽、线性度和集成度的持续升级需求，长电科技依托多年技术积累，已构建起覆盖射频功率放大器（PA）、射频前端（RFFE）模组及毫米波应用的完整封装测试能力。其技术体系支持系统级封装（SiP）、天线集成封装（AiP）等多种形态，涵盖共形封装、分腔设计及选择性溅射屏蔽等工艺，并具备5G、毫米波、窄带物联网（NB-IoT）及高速信号测试能力。公司还提供射频系统仿真与封装协同设计服务，配套建设了一站式验证测试平台，覆盖射频微波、毫米波、5G蜂窝及无线通信等领域，可支撑客户完成从芯片到整机全链条的验证导入。
长电科技副总裁、技术服务事业部总经理吴伯平透露，公司正加速推进玻璃基TGV与PSPI晶圆级IPD技术在射频系统级封装中的工程化落地。通过与头部客户及产业链伙伴的深度协同创新，长电科技计划开展联合开发与验证工作，推动相关技术向规模化量产迈进。这一战略布局旨在为下一代边缘计算设备和无线连接系统提供更高性能、更高集成度的解决方案，满足人工智能算力芯片迭代与6G通信前瞻布局的技术需求。
