日本知名半导体制造商罗姆（ROHM）近日宣布，其成功研发出第五代碳化硅（SiC）MOSFET，这一成果标志着该公司在功率半导体领域的技术突破。相较于前代产品，新一代器件通过优化器件结构与制造工艺，在175℃结温（Tj）条件下实现了导通电阻降低约30%的性能提升。
据罗姆介绍，第五代SiC MOSFET特别适用于高温环境下的电力电子应用。在电动汽车（xEV）牵引逆变器等场景中，该产品可助力缩小系统体积并提高功率输出效率。其低导通电阻特性也使其成为AI服务器电源、数据中心等工业设备电源的理想选择，有助于提升能源转换效率并降低系统散热需求。
罗姆透露，公司计划于2026年7月启动第五代SiC MOSFET分立器件及模块的样品供应。为配合新产品推广，罗姆将同步扩大产品阵容，完善设计工具链，并强化针对客户应用设计的支持体系，以加速该技术在多领域的商业化落地。
