【PC日报】6月30日消息，据韩媒The Elec报道，三星电子的存储业务高管最近参加了电子工程师协会2023年夏季会议，就三星的V-NAND技术发展进行了展望。会上，三星高管表示，他们预计到2030年，V-NAND技术的层数可以超过1000层。
自2013年推出24层V-NAND以来，三星在过去的十年间不断发展，目前已经达到了200多层。三星高管强调，V-NAND的存在延续了NAND的历史，并成为韩国国家创造技术和生态系统的少数成功案例之一。每个V-NAND芯片最初的容量为128Gb(16GB)，通过3D堆叠技术，最多可以将24层芯片堆叠，从而实现总容量为384GB的存储。
据PC日报了解，三星高管表示，要推动NAND技术达到1000层以上的挑战，就像建造摩天大楼一样，需要解决许多稳定性问题，例如坍塌、弯曲和断裂等。此外，他们还需要克服连接孔加工工艺、最小化电池干扰、缩短层高以及扩大每层存储容量等一系列挑战。
